日前，全球首款300毫米（12英寸）碳化硅外延晶片在我国成功开发并完成技能首发，这一发展有望为我国第三代半导体工业规模化、低本钱使用奠定要害根底。

　　碳化硅是第三代半导体中心资料，相较于传统硅资料，在耐高压、耐高温和高频性能上优势明显。此次打破的12英寸碳化硅外延晶片由坐落厦门火炬高新区的瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司研制，其直径较当时干流的6英寸产品大幅提高。

　　技能多个方面数据显现，单片12英寸碳化硅外延晶片可承载的芯片数量是6英寸产品的4.4倍，是8英寸产品的2.3倍。这在某种程度上预示着在相同出产工序下，单片可承载芯片（器材）数量进一步扩容，然后可下降下流功率器材制作本钱，加快其在新能源轿车、光伏发电、智能电网、轨道交通及航空航天等范畴的规模化、低本钱使用。

　　据悉，该产品的成功开发得益于要害供给链的国产化协同，其中心出产设备与衬底资料均由国内公司可以供给。产品在要害性能指标上表现优异，外延层厚度不均匀性小于3%，掺杂浓度不均匀性控制在8%以内，芯片良率超越96%，可以很好的满意高可靠性功率器材的使用需求。

　　近年来，全球半导体工业竞赛正加快向大尺度晶片演进。作为我国首家完成商业化3英寸、4英寸、6英寸碳化硅外延晶片批量供给的出产商，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司此次在12英寸碳化硅外延技能的首先打破，不只表现了我国在该范畴的技能抢先性，也为构建自主可控的第三代半导体工业生态、抢占未来工业竞赛制高点供给了强有力的资料根底。现在，批量供给筹备工作已发动。

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