第三代半导体碳化硅比第一代硅半导体具有更优的高频、高压、高温才能，能够在必定程度上完结体系更低的能耗、更小的体积和分量，被大范围的运用于新能源轿车、光伏发电、AI电源、轨道交通、智能电网及航空航天等范畴。

　　相较于当时干流的150mm（6英寸）碳化硅外延晶片，以及尚处产业化推动阶段的200mm（8英寸）晶片，300mm（12英寸）晶片凭仗直径的明显扩容，在相同出产工序下，单片可承载的芯片（器材）数量完成大幅度的进步——较6英寸晶片提升至4.4倍，较8英寸晶片提升至2.3倍。

　　现在，瀚天天成已发动12英寸碳化硅外延晶片的批量供给筹备工作，产品在关键性能指标上体现优异：外延层厚度不均匀性控制在3%以内，掺杂浓度不均匀性≤8%，2mm×2mm芯片良率大于96%，可充沛满意下流功率器材范畴的高可靠性运用需求。

　　据悉，瀚天天成是我国首家完成商业化3英寸、4英寸、6英寸碳化硅外延晶片批量供给的出产商。依据灼识咨询研报，公司2023年已成为全世界规划最大的碳化硅外延晶片供给商，2024年全球市场占有率超31%。

　　①凡本站注明稿件来历为：我国高新技术产业导报、我国高新网、中高新传媒的一切文字、图片和音视频稿件，版权均属本网一切，任何媒体、网站或个人未经本网协议授权不得转载、链接、转贴或以其他方法仿制宣布。现已本网授权运用著作的，被授权人应在授权范围内运用，并注明“来历：我国高新网、中高新传媒或许我国高新技术产业导报”。违背上述声明者 ，本网将追究其有关规定法律责任。

　　② 任何单位或个人觉得本网站或本网站链接内容或许涉嫌侵略其合法权益，应该及时向本网站书面反应，并供给身份证明，权属证明及具体侵权状况证明，本网站在收到上述文件后，将会赶快移除被控侵权的内容或链接。