金融界音讯，2025年3月14日，国家知识产权局发布，中电晶华（天津）半导体资料有限公司成功申请了名为“一种TMBS用硅外延片的制备办法”的专利，授权公告号为CN119243329B。该专利申请日期为2024年11月，标志着中电晶华在半导体制作范畴的新打破。

　　中电晶华成立于2018年，坐落天津市，注册资本达1382.43万元人民币。该企业首要从事计算机、通讯及其他电子设备制作，以提高电子配备的功能和效能为方针。此次取得的专利，旨在推进TMBS（地道场效应晶体管）技能的开展，表明中电晶华在高功能半导体资料范畴的技能实力正在增强。

　　天眼查多个方面数据显现，中电晶华已参加14次招投标项目，并注册多项专利，数量到达26条。此外，其还取得了103个行政许可，显现出其继续立异和合规运营的杰出态势。具有这一新专利后，中电晶华有望逐渐提高在半导体工业链中的竞争力，推进本乡半导体技能的开展，对推进相关工业走向更高技能水平具有积极意义。

　　跟着全球对半导体资料与技能需求的添加，中电晶华的专利将为其未来开展供给坚实的技能上的支撑，也为国内半导体职业的自主立异增加动力。回来搜狐，检查更加多